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中值联金牌网:垂直堆叠于AI加速器之上 密度超传统HBM5十倍

发布日期:2026-08-05 06:54 阅读:
金牌财经排行榜报道,8月5日,美东时间8月4日,三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会(FMS)上推出其V10 Bonding V-NAND,即BV-NAND原型产品。该芯片拥有超过400层结构,并采用全新的晶圆键合架构,以提高存储密度并增强性能。三星表示,其BV-NAND技术较上一代V9 NAND将存储密度提高约58%,同时提升读取、写入以及输入/输出性能,以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元,在更小空间内存储更多数据。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式,三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上,以缩短数据传输距离,提高带宽,同时提升能源效率。三星表示,其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度,同时将能源效率提高3倍,并将热阻降低一半以上。

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